快速退火炉(200℃~1000℃):采用红外辐射加热及冷壁技术,可实现对实验材料的快速升温和降温;
为高等院校物理学院、材料学院、电子信息学院等近代物理和应用物理的创新实验;
为大学物理的对比与补充实验。
快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN) ……
| 薄膜沉积后退火 | 合金化退火 | 低介电材料热处理 | 热疲劳循环测试 |
| 离子注入退火 | 热扩散、致密化 | 化合物半导体退火 | 合金熔点分析 |
| 电极接触退火 | 结晶、烧结 | 多晶硅退火 | 耐热性测试 |
| 去应力退火 | 氧化制程 | 多晶硅退火 | 材料制备 … … |
硅片、碳化硅基片、化合物半导体基片、用于LED的GaN/蓝宝石基片、用于太阳能电池的多晶硅基片、石墨和镀碳化硅的石墨基座、玻璃基片、金属、聚合物等。
光电芯片、射频芯片、MEMS传感器芯片、功率器件、CMOS芯片、模拟芯片、分立器件、光伏器件、显示器件、存储器芯片、光电子芯片、MEMS芯片的制造等。
电子材料、陶瓷与无机材料、金属材料、复合材料 、功能薄膜材料……
原位光学观察、相变测试、原位电学测试、测热膨胀系数……
| 设备参数 | 数值 |
|---|---|
| 最大样品尺寸(∮) | 20mm |
| 控温范围 | 200~1000℃ |
| 最快升温速率 | 30℃/s |
| 最短降温时间 | 1000~400℃:≤3min |
| 控温精度 | ±0.5℃ |
| 极限真空 | ≤10Pa |

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