霍尔效应测试系统 HET-3L是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括 Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量), 广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
采用精密恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越;
测试参数与科研设备一致,功能齐全,极具性价比;
可对非标准样品测试,装夹方便,同时满足教学和科研需求;
创新实验设备,可作为大学物理基础实验的对比与补充;
自带软件,针对国人使用优化,测试过程更加方便;
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载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数,可以确定电流携带者的类型,是正电荷的空穴还是负电荷的电子,从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性;
载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系,因此通过测量霍尔系数,可以估计材料中载流子的浓度;
迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率,即电荷载流子在材料中移动的能力,从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究;
材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息,可以更全面地评估材料的电性能,为电子器件和电路设计提供重要参考;
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| 设备系列 | HET-3L |
|---|---|
| 温度范围 | 室温 |
| 磁场感应强度 | 0.6T |
| 电阻率范围 | 10-5-106Ω•cm |
| 霍尔系数范围 | 10-2-106cm3/C |
| 迁移率范围 | 1-105cm2/(V•s) |
| 载流子浓度范围 | 1012-1021/cm3 |
| 样品尺寸 | 边长或直径:10mm-20mm;厚度:10nm-1mm |

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