RTP快速退火炉能提升碳化硅(SiC)芯片欧姆接触的稳定性

RTP快速退火炉以其快速升降温能力和高度的温度均匀性，在金属/SiC欧姆接触的制备过程中展现出了高稳定性。通过精准调控退火工艺参数，RTP能够快速激活金属与SiC界面处的化学反应，促进“化合物降低势垒”或“碳空位减薄势垒”机制的发生，从而显著提升欧姆接触的稳定性。

RTP快速退火炉和普通管式炉制备SiC芯片的性能对比

实验数据表明，采用RTP快速退火炉制备的SiC芯片，在I-V测试中展现出了完美的线性特征，这是欧姆接触形成的直接标志。同时，其接触电阻极低，远低于50 Ω，充分证明了RTP技术在提升欧姆接触质量方面的卓越性能。

相比之下，传统的管式炉等退火设备，难以达到理想的效果。由于升降温速度较慢且温度均匀性较差，难以精准控制金属电极的取向生长，导致欧姆接触的质量参差不齐，甚至可能出现整流特性而非欧姆特性，严重影响器件的性能。

因此，RTP快速退火炉的引入，不仅为碳化硅(SiC)芯片欧姆接触的制备提供了一种更为高效、精准的方法，更为SiC大功率器件的效率提升、增益增强和开关速度加快奠定了坚实的基础。