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霍尔效应作为一种重要的电磁现象，其参数的准确测量对于理解材料在电磁场中的行为至关重要。而变温霍尔测量则能够揭示材料在不同温度下的霍尔效应变化规律，为材料科学、电子工程和凝聚态物理等领域的研究提供宝贵数据。 专业定制的冷热台设备，是能够轻松融入电磁场环境中，并与高精度数字源表实现无缝连接，在磁场中进行变温霍尔参数测量的强大工具。 用冷热台设备放入电磁场中，连接2块Keithley 2400表，在80K~RT温度范围下，进行变温霍尔效应、磁阻测量。此次实验的成功，也验证了冷热台与数字源表联用在电磁场中测量变温霍尔参数的可行性和准确性。
离子注入工艺是把杂质离子加速后入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。 离子注入后将原子撞出晶格结构而造成晶格损伤，通过快速退火使原材料的原子和杂质原子在热的作用下发生移动，并最终扩散到晶格点，形成电学，活性的离子掺杂。 嘉仪通快速退火炉系列，有着高温场均匀性，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。
霍尔效应测试仪是一种广泛应用于金属、半导体、电子、无机、复合等材料科学领域的实验设备，可以帮助研究人员和工程师们更好地理解材料的电学性质。 霍尔效应的本质是固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。 制作一个形状规则的样品，长度L，面积S，厚度t，输入恒定电流I的情况下，测得输出电压U： 我们就能首先测到电阻R=U/I 然后计算电阻率ρ…
RTP快速退火炉以其快速升降温能力和高度的温度均匀性，在金属/SiC欧姆接触的制备过程中展现出了高稳定性。通过精准调控退火工艺参数，RTP能够快速激活金属与SiC界面处的化学反应，促进“化合物降低势垒”或“碳空位减薄势垒”机制的发生，从而显著提升欧姆接触的稳定性。 RTP快速退火炉和普通管式炉制备SiC芯片的性能对比 实验数据表明，采用RTP快速退火炉制备的SiC芯片，在I-V测试中展现出了完美的线性特征，这是欧姆接触形成的直接标志。同时，其接触电阻极低，远低于50 Ω，充分证明了RTP技术在提升欧姆接触质量方面的卓越性能。 相比之下，传统的管式炉等退火设备，难以达到理想的效果。由于升降温速度…
电阻率是描述材料导电性能的物理量，它表示单位长度和单位截面积的导体在单位电场强度下的电阻。 对于薄膜材料，电阻率的大小与其微观结构、掺杂程度、温度等因素密切相关。薄膜电阻率的测量基于欧姆定律，即电阻与电流成正比，与电压成反比。通过测量薄膜上的电压和电流，我们可以计算出薄膜的电阻值，进而求得电阻率。 电阻率的测量方法有四探针法和范德堡法： 四探针法是一种常用的电阻率测量方法。该方法使用四个等间距的金属探针与材料表面接触，其中两个探针用于通入电流，另外两个探针用于测量电压。通过测量电流和电压的值，可以计算出材料的电阻率。 范德堡法是一种适用于测量材料电阻率的另一种方法。该方法利用范德堡电桥原理，通…
膜和薄膜有什么区别？当固体或液体的一维线性尺度远远小于其他二维时，我们将这样的固体或液体称为膜。通常膜可分为两类：厚度大于1微米，称为厚膜；厚度小于1微米，称为薄膜。 薄膜材料定义与特性 薄膜材料定义： 在实际应用中，薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导体功能器件和光学镀膜是薄膜技术的主要应用。 科学上的解释为：薄膜是由原子、分子或离子沉积以及生长在基片表面形成的2维材料。 薄膜材料特性： 电学特性：电阻率增大、空间电荷和电场效应明显、电阻温度系数减小等。 热学特性：热导率减小、热电效应增强。 磁学特性：具有巨磁阻效应。 光学特性：反射率变化、光干涉效应显著。 力…
4月23日，2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在光谷国际会展中心盛大开幕。作为国内化合物半导体领域规模大、层次高的行业盛会，本届论坛吸引了全球近300家产业链龙头企业齐聚，覆盖从材料、设备到制造、应用的全产业链生态。 作为半导体材料物性分析领域的表征设备供应商，我们深度参与这一行业盛事。今年，公司重点展出的快速退火炉、霍尔效应测试仪、晶圆探针台等硬核设备，正是化合物半导体材料研发与量产的关键”标尺”——这些设备可精准测定材料的电学、热学及结构特性，为新一代半导体材料的性能优化提供数据支撑。 化合物半导体凭借其优异的光电转换效率和高频高功率特性，已成为5G通信、新…
2024年11月3日至6日，湖北省武汉市迎来了科技界的一大盛事——第26届中国电子学会青年年会暨第5届半导体青年学术会议。此次会议由中国电子学会主办，华中科技大学承办，旨在探讨“后摩尔时代集成电路的青年创新”，汇聚了来自全国各地的青年学者和行业精英，共同为推动中国乃至全球半导体技术的发展贡献力量。 主办方精心设置了主论坛、青年学者沙龙以及18场专题论坛，为与会者提供了丰富多彩的学术交流平台。 作为国产半导体材料测试设备领域研发制造企业，携其核心产品快速退火炉、霍尔效应测试仪、冷热台等亮相会场，成为了此次会议的一处亮点。许多学者和专家纷纷驻足参观，详细了解产品的性能和应用情况。工作人员也积极与参…
2024 年 10 月 16 日，第五届中国新材料产业发展大会于武汉盛大开幕。全国新材料及相关领域的院士专家、企事业单位与社会团体代表、科研院所及高校代表等纷纷汇聚武汉。 本届大会精心设置了 80 个分会或论坛，涵盖关键基础材料、关键能源材料、关键信息材料、生物医用材料、健康舒适材料、环境工程材料以及安全工程材料等七大类别。其重点聚焦于前沿新材料的重大突破、产业动态及新型应用，全力助推高新技术、高端制造、重大工程和新兴产业迈向更高层级。 在电子材料及微系统分会场，与现场的各位专家学者展开了热烈的讨论与交流，共同探寻新材料产业的新方向与新领域。
